Samsung ve TSMC, gelişmiş çip üretiminde kullanılacak ASML High NA EUV litografi sistemlerini benimsemeye hazırlanıyor. ASML tarafından açıklanan plana göre, Samsung bu teknolojiyi 2028’den itibaren DRAM üretiminde kullanacak, TSMC ise 2030 itibarıyla gelişmiş üretim süreçlerine dahil edecek.
Böylelikle halihazırda High NA EUV kullanan Intel’in ardından dünyanın en büyük iki sözleşmeli ve yarı iletken üreticisi de yeni nesil litografi sistemlerine geçiş yapacak. Şirketler bunun yanında mevcut 6 inçlik fotomaskelerin yerini 12 inçlik daha büyük fotomaskelerin almasını hedefleyen ortak bir çalışma yürütüyor.
Söz konusu değişiklik üretim verimliliğini artırırken gelişmiş çiplerin üretim maliyetlerinin ve karmaşıklığının azaltılmasını sağlayabilir. High NA EUV, mevcut EUV litografi sistemlerinin daha yüksek sayısal açıklığa sahip geliştirilmiş bir biçimini oluşturuyor.
Teknoloji, silikon plaka üzerinde daha küçük ve yoğun devre desenlerinin oluşturulmasına imkan tanıdığı için özellikle ileri üretim süreçlerinde üreticilerin başvuracağı yöntemlerden biri olacak. Bununla birlikte yeni litografi sistemlerine geçiş yalnızca makinelerin fabrikalara kurulmasıyla tamamlanmıyor.
Üretim hatlarının, fotomaskelerin ve diğer süreçlerin de yeni sistemlerle uyumlu hâle getirilmesi gerekiyor. Intel’in High NA EUV teknolojisini üretime taşırken karşılaştığı güçlükler, Samsung ve TSMC’nin açıkladığı takvimlerin de üretim kapasitesi ve verim oranları gibi etkenlere bağlı olacağını gösteriyor.
ASML High NA EUV için Samsung ve TSMC takvimlerini belirledi Intel şu anda ASML’nin High NA EUV teknolojisini … Samsung ve TSMC çip üretiminde büyük değişime hazırlanıyor haberi ilk önce Teknoblog üzerinde yayımlandı.
